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電化學(xué)作站/腐蝕測(cè)量?jī)x 型號(hào):DP-CS150

更新時(shí)間:2019-03-27點(diǎn)擊次數(shù):2235

 電化學(xué)作站/腐蝕測(cè)量?jī)x 型號(hào):DP-CS150 

DP-CS電化學(xué)作站采用浮地式,具有出色的穩(wěn)定性和度,的硬件和能善的軟件,為涉及能源、材料、生命科學(xué)、環(huán)保等域的科作者提供了的科研平臺(tái)。
具體應(yīng)用于:

(1) 電合成、電沉積(電鍍)、陽(yáng)氧化、電解等反應(yīng)機(jī)理研究;

(2)電化學(xué)分析研究;

(3)能源材料(鋰離子電池、太陽(yáng)能電池、燃料動(dòng)力電池和電容器等)、能材料以及傳感器的性能研究;

(4)金屬材料的腐蝕行為研究與耐蝕性評(píng)價(jià);

(5)緩蝕劑、水質(zhì)穩(wěn)定劑、涂層以及陰保護(hù)效率的快速評(píng)價(jià)。

硬件特點(diǎn)

● 雙通道相關(guān)分析器和雙通道速16bit /度24bit AD轉(zhuǎn)換器

● 內(nèi)置FRA頻響分析儀,頻率范圍 10μHz ~1MHz

● 帶寬輸入阻抗的放大器

● 內(nèi)置FPGA DDS信號(hào)合成器

● 率恒電位儀/恒電流儀/零電阻電流計(jì)

● 電壓控制范圍:±10V,槽壓為±21V(可擴(kuò)展至±200V)

● 電流控制范圍:±2.0A(可擴(kuò)展至±5.0A)

● 電位分辨率:10μV,電流分辨率:10pA(可延伸至100fA)

軟件特點(diǎn)

 


① 數(shù)據(jù)分析

伏安曲線(xiàn)的平滑、積分和微分運(yùn)算,計(jì)算各氧化還原峰的峰、峰面積和峰電位等;

化曲線(xiàn)的三參數(shù)或四參數(shù)動(dòng)力學(xué)解析,計(jì)算Tafel斜率ba,bc,腐蝕電流密度icorr,限擴(kuò)散電流、化電阻Rp和腐蝕速率等,還可由電化學(xué)噪聲譜計(jì)算率譜密度、噪聲電阻Rn和譜噪聲電阻Rsn(f)。

② 實(shí)時(shí)存儲(chǔ)

實(shí)時(shí)存儲(chǔ)測(cè)量數(shù)據(jù),即使因斷電導(dǎo)致測(cè)試中斷,中斷之前的數(shù)據(jù)也會(huì)自動(dòng)保存。

③ 定時(shí)測(cè)量

測(cè)試軟件具有定時(shí)測(cè)量能, 對(duì)于某些需要研究體系隨時(shí)間變化特征時(shí),可提前設(shè)好測(cè)試參數(shù)與間隔時(shí)間,讓儀器在無(wú)人值守下自動(dòng)定時(shí)測(cè)量,提實(shí)驗(yàn)效率。

 

恒電位控制范圍:±10V

 恒電流控制范圍:±2.0A

 電位控制度:0.1%×滿(mǎn)量程讀數(shù)±1mV

 電流控制度:0.1%×滿(mǎn)量程讀數(shù)

 電位靈敏度:10μV(>100Hz), 3μV(<10Hz)

 電流靈敏度:<10pA

 電位上升時(shí)間:﹤1μS(<10mA),<10μS(<2A)

 電流量程:2A200nA, 8檔

 參比電輸入阻抗:1012Ω||20pF

 大輸出電流:2.0A

 槽壓輸出:±21V

 電流掃描增量:1mA @1A/mS

 CV和LSV掃描速度:0.01mV~10000V/s

 電位掃描電位增量:0.076mV @1V/mS

 CA和CC脈沖寬度:0.0001~65000s

 DPV和NPV脈沖寬度:0.0001~1000s

 SWV頻率:0.001~100KHz

 CV的小電位增量:0.075mV

 AD數(shù)據(jù)采集:16bit@1MHz,20bit @1kHz

 電流與電位量程:自動(dòng)設(shè)置

 DA分辨率:16bit,建立時(shí)間:1μS

 低通濾波器 8段可編程

 通訊接口:USB2.0

 儀器重量:6.5Kg

 外形尺寸(cm):36.5(W)X30.5 (D)X16 (H)

 

 

 信號(hào)發(fā)生器

 頻率響應(yīng):10μHz115KHz

 交流信號(hào)幅值:1mV2500mV

 頻率度:0.005%

 直流偏壓:-10V+10V

 DDS輸出阻抗:50Ω

 波形:正弦波,三角波,方波

 正弦波失真率:<1%

 掃描方式:對(duì)數(shù)/線(xiàn)性,增加/下降

 信號(hào)分析器

 大積分時(shí)間:106個(gè)循環(huán)或者105S

 測(cè)量時(shí)間延遲:0105

 小積分時(shí)間:10mS 或者個(gè)循環(huán)的長(zhǎng)時(shí)間

 

 直流偏置補(bǔ)償

 電位補(bǔ)償范圍:-10V+10V

 電流補(bǔ)償范圍:-1A+1A

 帶寬調(diào)整:自動(dòng)或手動(dòng)設(shè)置8級(jí)可調(diào)

 

 

能方法

DP-CS120

DP-CS150

DP-CS300

DP-CS310

DP-CS350

DP-CS360

穩(wěn)態(tài)化

 開(kāi)路電位測(cè)量(OCP)

    ●

 恒電位化(i-t曲線(xiàn))

 恒電流化

 

 動(dòng)電位掃描(TAFEL曲線(xiàn))

 動(dòng)電流掃描(DGP)

 

暫態(tài)化

 意恒電位階梯波

 意恒電流階梯波

 

 恒電位階躍(VSTEP)

 恒電流階躍(ISTEP)

 

 快速電位脈沖

 

 

 

 

 

 快速電流脈沖

 

 

 

 

 

計(jì)時(shí)分析

 計(jì)時(shí)電位法(CP)

 

 

 計(jì)時(shí)電流法(CA)

 

 

 計(jì)時(shí)電量法(CC)

 

 

伏安分析

 線(xiàn)性?huà)呙璺卜ǎ↙SV)

 線(xiàn)性循環(huán)伏安法(CV)

 階梯循環(huán)伏安法(SCV)

 

 

 

 方波伏安法(SWV)

 

 

 

 差分脈沖伏安法(DPV)

 

 

 

 常規(guī)脈沖伏安法(NPV)

 

 

 

 常規(guī)差分脈沖伏安法(DNPV)

 

 

 

 交流伏安法(ACV)

 

 

 

 二次諧波交流伏安(SHACV)

 

 

 

溶出伏安

 恒電位溶出伏安

 

 

 

 線(xiàn)性溶出伏安

 

 

 

 階梯溶出伏安

 

 

 

 方波溶出伏安

 

 

 

交流阻抗

 電化學(xué)阻抗(EIS)~頻率掃描

 

 

 

 電化學(xué)阻抗(EIS)~時(shí)間掃描

 

 

 

 電化學(xué)阻抗(EIS)~電位掃描(Mott-Schottky曲線(xiàn))

 

 

 

腐蝕測(cè)量

 循環(huán)化曲線(xiàn)(CPP)

 線(xiàn)性化曲線(xiàn)(LPR)

 電化學(xué)噪聲(EN)

 電偶腐蝕測(cè)量(ZRA)

 氫擴(kuò)散測(cè)試(HDT)*

電池測(cè)量

 電池充放電測(cè)試

 

 恒電流充放電

 

光電測(cè)量

 電致調(diào)光測(cè)量 *

 

 

 

 

 光譜儀測(cè)量 *

 

 

 

 

擴(kuò)展測(cè)量

 盤(pán)環(huán)電測(cè)試 *

 

 

 數(shù)字記錄儀

 波形發(fā)生器

 

 

 圓盤(pán)電機(jī)控制

 

 

 

注: * 氫擴(kuò)散及旋轉(zhuǎn)盤(pán)環(huán)電測(cè)試需配置DP-CS1001A恒流源或采用DP-CS2350雙恒電位儀。

* 光電測(cè)量能用戶(hù)選配。

* 產(chǎn)品3年質(zhì)保。

 

儀器配置:

1)儀器主機(jī)1臺(tái)

2)測(cè)試與分析軟件1套

3)電解池(含鹽橋和排氣管)1套

4)輔助、參比、作電各1支

5)模擬電解池1個(gè)

6)電源線(xiàn)/USB數(shù)據(jù)線(xiàn)各1條

7)電電纜線(xiàn)1條

8)電架(選配 *)

9)屏蔽箱(選配 *)

10)電腦(選配 *)